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irF9530n中文

IRF9530导通电压是-2到4v之间。IRF9530N是PMOS管,P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。 栅极电位比漏极电位低得越多,就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉...

型号:F9530N,MOS场效应管 沟道类型 :N沟道 导电方式:增强型 最大漏极电流:24 参数如下图:

先指出你的电路错误:如果IRF9530N是PMOS管,则应该把S和D在电路中对调过来才对,同时作为负载的灯泡应该置于PMOS管的下面(对调后的D极下面,D通过灯泡接地)。 (电路改正后)S是48V电压(灯泡未点亮时),如果G的电压低于48-3=45V,则此PMOS...

是 P沟道 MOS场效应管... 可以通用 , 就是Is 电流小了2A

这个问题问的很怪异,IRF9530不是带保护二极管得MOS吗?可以当成基础原件,去对比BJT的CE、CC、CB。不过不能当成芯片,PDF资料也就不可能给你带典型电路。

f9530n是P沟道增强型MOS管 这里有详细资料: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9530n.pdf

场效应管的夹断电压,就是栅极与源极的电压,从场效应管导通后,逐渐降低栅极电压,直到场效应管关断为止,此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。

IRF530N http://www.1688eric.com/product.aspx?id=405749 IRF9530N http://www.1688eric.com/product.aspx?id=405751

参考图片

f9530n是P沟道增强型MOS管 这里有详细资料: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9530n.pdf

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